2025年度国家自然科学基金专项项目“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南

近日，基金委发布《2025年度国家自然科学基金专项项目“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南》，要点如下：

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芯片制造过程中涉及很多表界面相关的电化学过程，包含纳米级电子逻辑互连、三维集成和纳微封装中涉及的表界面过程机制与纳微结构多场效应等。这些表界面电化学过程直接决定了高端电子制造业的水平。芯片制造中的表界面电化学核心科学问题是如何在有限时空域内实现表界面电化学反应的精准调控。本专项项目面向国家重大需求，深入开展芯片制造表界面电化学基础研究，为解决产业卡脖子难题、研发具有国际竞争力和自主知识产权的芯片制造技术提供科学支撑。

一、科学目标

研究芯片制造中电沉积与电化学刻蚀涉及的纳微空间限域效应及添加剂的作用机制，建立相关电化学过程中的多尺度构效关系；建立纳微空间原位/工况表征技术及仿真方法，发展芯片制造表界面电化学基础理论；针对先进制程芯片中的表界面电化学问题，研制高性能添加剂和下一代互连新材料，提高我国芯片制造的自主创新能力。

二、拟资助研究方向

（一）芯片制造中的电化学表界面纳微结构、动态过程及其调控。

（二）芯片制造中电化学表界面动态过程的原位/工况表征方法。

（三）芯片制造中电化学表界面动态过程的理论、计算与仿真。

（四）芯片制造中电化学表界面过程添加剂分子构效规律和性能调控。

（五）芯片制造中电子逻辑互连下一代材料创制中的表界面电化学基础。

三、资助计划

本专项项目资助期限为4年，项目研究期限应填写“2026年1月1日－2029年12月31日”，拟资助项目3-5项，计划资助强度约为230万元/项。

四、限项申请规定

1.本专项项目申请时不计入申请和承担总数范围，正式接收申请到自然科学基金委做出资助与否决定之前，以及获资助后，计入申请和承担总数范围。

2.申请人同年只能申请1项专项项目中的研究项目。

3.其他限项申请要求按照《2025年度国家自然科学基金项目指南》“限项申请规定”执行。

五、申请时间

在线申报接收期为：2025年7月25日至7月31日16时。校内截止时间为2025年7月29日。

附件1：2025年度国家自然科学基金专项项目“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南

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校内申报截止时间为：2025年7月29日

校内联系人：郝西钊

联系方式：010-62332207，haoxizhao@ustb.edu.cn

办公地点：办公楼229